Resistive Switching RAM o ReRAM, ¿por qué es tan importante para el futuro de la informática?

Hablamos sobre la Resistive Switching RAM, también conocida como ReRAM, las nuevas memorias que llegarían para solucionar los problemas de rendimiento, consumo y espacio de las actuales memorias RAM.

Los problemas de precio actuales de la memoria RAM, ya sea por falta de stock o manipulación de los precios de los fabricantes, además de los problemas de stock de VRAM, hace necesario la búsqueda de otras soluciones y hay algunas que están siendo desarrolladas. Las alternativas en desarrollo, por un lado son las Thyristor RAM (T-RAM), que combina las ventajas de las memorias DRAM y las SRAM, además, también encontramos las Z-RAM, unas memorias que resuelven los problemas de densidad de la SRAM sin que se pierda eficiencia. La última solución en desarrollo es la ReRAM, la que se podría imponer, por ser más viable su fabricación y comercialización.

Actualmente las memorias DRAM son volátiles y esto es debidas a que se necesita realizar un borrado de los datos almacenados, varias veces por segundo, lo que supone un problema. Esto es un problema a nivel de eficiencia energética, ya que las convierte en una solución altamente ineficiente, pero es la más usada por las diferentes ventajas que ofrece, como las velocidades de trabajo o las posibilidades de modificación de las frecuencias. Los programas actuales, por otra parte, normalmente no hacen uso de los discos duros para las cargas, cargan directamente en la RAM y obligan a transmitir datos entre procesador y RAM de manera constante.

Volatilidad y constante intercambio de datos, son los factores que pretende solucionar la Resistive Switching RAM, más conocida como ReRAM. Las memorias de este tipo almacenan los datos, como si fuera un SSD o un pen drive, por lo que son memorias no volátiles. Estos memristors (así denominadas, también), tienen un modo de funcionamiento bastante similar a las neuronas humanas, ofreciendo más velocidad, menores dimensiones y menos consumo energético, con respecto a las actuales DRAM.

Estas memorias ReRAM hace tiempo que están en desarrollo y son las que mejor se postula como futura memoria para los procesadores y que permite integrarse en los propios procesadores, ya que permite la combinación de los circuitos e integrarlos en un único encapsulado. La gran ventaja de este sistema es la integración y el desarrollo de sistemas cada vez de menores dimensiones y mejorar la autonomía de los dispositivos. Otro factor es la mejora de la potencia de los ordenadores y dispositivos móviles, haciéndolos más rápidos. Se suprime también el ping o retraso entre la comunicación del procesador y la RAM, ya que esta todo integrado en un mismo sistema. Los investigadores aseguran que al reducir estas latencias, se aumenta el número de procesamiento de los datos.


SISTEMA TERNARIO


La gran novedad de la ReRAM es que funcionaria mediante el sistema ternario, o lo que es lo mismos, en tres estados: 0, 1 y 2; frente al sistema binario que solo funciona en dos estados: 0 y 1. El sistema binario presenta problemas y limitaciones y el salto a este sistema ternario, que no es un sistema completamente analógico, haría que se pudieran superar estos problemas, permitiendo mayores potencias de comunicación y más posibilidades en los estados, permitiendo también mayor precisión. Los investigadores, además, están trabajando en una ReRAM que esté operativa en más de estos tres estados, algo que se complica, pero que aumentaría la posibilidad de cómputo y almacenamiento de datos. Los investigadores colaboran con desarrolladores y compañías electrónicas para llevar estos avances al segmento comercial.

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