TSMC comenzará la producción en masa de nodos a 10nm en el primer cuarto de este año

Acorde con el comunicado oficial de TSMC, los nodos construídos en 10 nm ofrecerán un rendimiento un 20% mayor o un 40% de ahorro energético con respecto a los FinFET. Su objetivo es aumentar sustancialmente la densidad de pines en la zona de contacto (pitch density). La compañía comenzó la producción de prueba de 10nm este año y como ya es usual ya están trabajando con Apple en sus últimos chips. Han comentado que el producto ya está lo suficiente depurado y que su producción masiva llegará en el primer cuatrimestre del 2017 y se desmientes los rumores de los medios taiwaneses en los que se especulaba el retraso de la llegada de estos.

Durante todo este año Intel, Samsung y TSMC han estado compitiendo por ser los primeros en conseguir producir SoCs en 10nm y atraer empresas como Apple o Qualcomm. En noviembre Qualcomm anunció su nuevo procesador, SnapDragon 835 fabricado en colaboración con Samsung. Intel aparte dijo públicamente que su proceso de 10nm superaría al resto de la competencia y que sería utilizado para chips móviles basados en ARM para empresas como LG Electronics.

Esto son grandes noticias ya que significan que podemos esperar la llegada de GPUs con su tecnología basada en 10nm a lo largo de 2018 (teniendo en cuenta que todo vaya según lo planeado). Esto es porque es necesario alrededor de un año para que el proceso llegue al punto en el que los ASIC de alto rendimiento puedan fabricarse con un buen rendimiento. Mientras se va confirmando de manera inminente la llegada de los 10nm, TSMC afirma que los 7nm empezarán a ser desarrollados en 2017 y los 5nm en 2019, para acompañar a los smartphones topes de gama que incluyan la función de realidad aumentada y virtual.

Fuente: TSMC