Ponen bajo el microscopio el procesador Intel Core i3 8121U, permitiendo ver aspectos interesantes de la litografica de 10nm Tri-Gate.
Es por todos conocido que la litografía de los 10nm está suponiendo un dolor de cabeza para Intel, quien está teniendo problemas de productividad bajo esta litografía. Los 10nm Tri-Gate presentan el problema que solo el 60% de los procesadores son óptimos para la venta, lo cual supone una producción realmente baja de estos procesadores. Poner en el mercado un procesador de 10nm, supondría elevar el precio de los procesadores de manera brutal, algo inviable y que supondría no vender procesadores. Ahora mismo solo está en el mercado el Core i3 8121U y se integra en portátiles.
Mostrada la litografía de 10nm Tri-Gate, gracias al microscopio y el procesador Core i3 8121U.
Como decíamos, el único procesador del mercado de 10nm, es el Core i3 8121U, que solo se integra en portátiles Lenovo y se venden en China, así que de momento, es difícil acceder a estos procesadores. Lo interesante no es el rendimiento, sino que han puesto este procesador bajo el microscopio y entre otras cosas, nos muestra que la densidad de transistores se ha aumentado en 2.7 veces con respecto a los transistores de 14nm Tri-Gate. Esto permite integrar 12.800 millones de transistores en una matriz de tan solo 127mm2.
Este nuevo proceso hace uso de la tercera generación FinFET, lo cual permite reducir el tamaño mínimo del Gate, desde los 10nm a los 54nm, mientras que el metal mínimo pasa de los 52nm a los 36nm. Intel quiere introducir la metalización del cobalto en las capas generales y en el anclaje del sustrato de silicio. Se usa cobalto al ser una alternativa óptima al tungsteno y al cobre como metal de contacto entre las capas, además, de ofrecer menor resistencia y reducir los tamaños.
Fuente: TPU