Anunciada por parte de Team Group la unidad de almacenamiento T-Force CARDEA IOPS. Esta unidad de almacenamiento se basa en la estándar M.2 NVMe 1.0 bajo interfaz PCI Express 3.0 x4. Curiosamente esta unidad de almacenamiento únicamente llegará en una capacidad de 1TB con una velocidad de lectura y escritura por encima de los 3.000MB/s. Pero lo más interesante de esta unidad es que implementan un disipador completamente fabricado en grafeno.
Las unidades de almacenamiento en formato M.2 NVMe se están estandarizando entre los usuarios. Este tipo de unidades bajo interfaz PCI Express 3.0, ofrecen hasta seis veces más de rendimiento que las unidades SSD de 2.5″ mediante interfaz SATA. Además, con el aumento de densidad, estamos viendo como aumenta la capacidad de estas unidades y baja el precio.
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Team Group anuncia las unidades de almacenamiento T-Force CARDEA IOPS
El rendimiento de esta unidad de almacenamiento está dentro de lo que cabria esperar en estas unidades. Cuenta esta unidad con una lámina disipadora de grafeno de 9 gramos para controlar la temperatura del calor. Encima podemos instalar un disipador de aluminio de 45 gramos que aumentara la eficiencia en cuanto a la disipación del calor.
Uno de los principales problemas de las unidades M.2 NVMe es que necesitan refrigeración pasiva para funcionar a plenas capacidades. Sin disipador nos encontraremos un problema térmico y la unidad, para evitar dañarse, reduce el rendimiento. Por lo tanto, cuanta mayor es la temperatura, peor es el rendimiento.
La lamina disipador de calor basada en grafeno permite mejorar en un 9% la disipación del calor. Esto puede ser algo muy importante en portátiles, donde no se puede instalar un gran disipador de calor. Si añadimos el disipador de aluminio (en el caso de montar un sistema de sobremesa) conseguiremos una mejora de temperaturas del 15%.
Esta unidad T-Force CARDEA IOPS llegará al mercado el próximo mes de enero y tendrá un precio de unos 165 dólares.
Especificaciones
| Interfaz | PCIe Gen3 x4 with NVMe 1.3 |
| Capacidad | 1TB[4] |
| Voltaje | DC +3.3V |
| Temperatura de funcionamiento | 0˚C ~ 70˚C |
| Temperatura de almacenamiento | -40˚C ~ 85˚C |
| Terabytes escritos | 1TB / >1,665TB |
| Rendimiento | Crystal Disk Mark: Lectura hasta 3,400MB/s y escritura hasta 3,000MB/s – Lectura hasta 680.000 IOPS y escritura hasta 670.00 IOPS |
| Peso | – 9g (con disipador de calor de grafeno) – 45g (con disipador de calor de aluminio) |
| Dimensiones | – 80.0(L) x 22.0(W) x 3.7(H) mm (con disipador de calor de grafeno) – 80.0(L) x 23.4(W) x 12.9(H) mm (con disipador de calor de aluminio) |
| Humedad | RH 90% under 40°C (operational) |
| Vibración | 80Hz~2,000Hz/20G |
| Impacto | 1,500G/0.5ms |
| MTBF | 1,500,000 hours |
