Samsung Z-NAND, nuevas memorias para las nuevas unidades SSD

Samsung anuncia el desarrollo de una unidad SSD basada en memorias Samsung Z-NAND, que mejora mucho el rendimiento con respecto a los actuales SSD y ofrecen unas latencias muy bajas.

Parece que la respuesta a la aparición del primer SSD de Intel basado en memorias 3D XPoint ha llegado, por parte de Samsung en este caso. La compañía surcoreana ha anunciado una nueva unidad SSD basada en memorias tipo Samsung Z-NAND. Según la compañía, esta unidad SSD ofrecerá unas latencias muy bajas y un mayor rendimiento en comparación con las unidades SSD tradicionales. Lógicamente no llega a la altura de la solución de Intel, pero si ofrece una mejora de rendimiento, está ya un gran avance.

Las memorias Z-NAND están destinadas a mejorar la brecha de rendimiento entre las DRAM y las memorias Intel XPoint, siendo las memorias desarrolladas por Samsung una mejora de las actuales NAND, no conformando unas nuevas memorias, simplemente son unas mejoras técnicas. Se desconoce si Samsung ha cambiado el procesado de fabricación hacia las memorias NAND, aunque ofrecer menores latencias y un nuevo controlador de memoria rediseñado para mejorar el rendimiento y las características de las actuales memorias NAND es importante.

Esta primera unidad Z-NAND de Samsung llegara en capacidades de 800GB, 1TB, 2TB y 4TB, estas tres últimas ya para un futuro. Estas unidades SSD tienen un factor de forma PCI, ofreciendo velocidades de lectura y escritura secuenciales de hasta 3.2Gbps, con unas velocidades de lectura y escritura aleatoria de 750K/160K IOPS. Según Samsung estas unidades reducen la latencia en un 70% con respecto a las unidades NVMe actuales. Lo que se espera sobre las Z-NAND de Samsung es que ofrezcan mayor durabilidad y rendimiento que las actuales MLC y TLC 3D V-NAND de Samsung.

Fuente: overclock3D

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