Samsung ha presentado los módulos RDIMM de 256GB

Presentados los módulos RDIMM de 256GB de Samsung que de momento solo serán compatibles con los procesadores Intel Xeon Cascade Lake.
El precio de la memoria RAM esta por las nubes aunque en breve se espera un pequeño ajuste de los precios. Mientras esto sucede Samsung, el mayor fabricante de chips de memoria para RAM ha mostrado el primer módulo de la compañía que utiliza un total de 256GB por modulo destinado a los servidores de nueva generación. El nuevo módulo RDIMM se basa en sistemas de memoria DDR4 de 16 de Samsung, que se dejaron ver a principios de año y aprovecha el sistema de empaquetado 3DS (apilamiento tridimensional) desarrollado por la compañía.
Se presenta el nuevo módulo RDIMM de 256GB de Samsung
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Estos chips se basan en cuatro componentes de un único troquel de 16Gb que se han interconectado mediante vías de silicio. Si miramos la arquitectura de estos módulos de 256GB de clasificación octal, el cual dispone de dos rangos físicos y cuatro rangos lógicos.
Hablamos de módulos registrados o RDIMM en vez de los tradicionales módulos de carga reducida o LRDIMM. Los LRDIMM necesitan de configuraciones de alta capacidad requiriendo un búfer especial que perjudica el consumo energético y la latencia con respecto a los RDIMM.
Sabemos que los Intel Xeon Cascade Lake soportaran hasta 3.84TB de memoria gracias a 12 ranuras DIMM, permitiendo la instalación de un total de 12 módulos RDIMM de 256GB de capacidad, pudiendo llegar a los 6TB en un sistema de doble zócalo.
EPYC, la solución de AMD soporta solo módulos LRDIMM de 128GB con un máximo de 2TB de memoria RAM, por lo que no ofrecen soporte para los módulos RDIMM de 256GB. Aunque no se admiten nativamente, la compañía podría modificar el microcódigo de los EPYC en el mercado o admitiéndolos en los EPYC Rome basados en 7nm.
Fuente: TPU