Intel trabaja en continuar la Ley de Moore y en una solución que reemplace EMIB
La litografía de los procesadores se ha introducido fuertemente en el vocabulario de los aficionados al gaming. Esta semana desde Intel han hablado sobre sus futuras litografías. Durante el conferencia internacional IEEE, la compañía ASML, quien fabrica las máquinas de litografía de Intel, con su nueva hoja de ruta. Todo para que Intel y los otros socios estratégicos puedan cumplir con lo anunciado.
El avance más importante está en el escalado monolítico, reduciendo el tamaño de los transistores y las tensiones operativas. Todo esto con la finalidad de aumentar notablemente el rendimiento del transistor. Y como ya dejo intuir Jim Keller, la compañía realizara un ataque por dos flancos para mejorar el rendimiento de los procesadores.
- Procesador de novena generación Intel Core i7 9700K con ocho núcleos,
- Con la tecnología Intel Turbo Boost Max 3.0, la frecuencia máxima de turbo que este procesador puede alcanzar es de 4.9 GHz.
- Este procesador también admite memoria RAM DDR4-2666 de doble canal y utiliza tecnología de novena generación.
- Nota: el producto en caja no incluye ventilador ni disipador de calor.
- ¡ADVERTENCIA! Compruebe en el sitio web del fabricante si este dispositivo es compatible con sus sistemas.
Desarrollando nuevas soluciones
Robert Chau, Director de Investigación de Componentes de Intel ha realizado una interesante publicación en el blog. Ha dado información interesante al respecto del escalado monolítico en cuanto a la escala del sistema. Durante la reciente IEDM, los investigadores de Intel aportaron 20 documentos bore el avance de la Ley de Moore. Chau ha resumido algunos de los enfoques más interesantes para el desarrollo que se implementaran en los próximos años.
Sobre la escala monolítica, Chau habla del paso de FinFET a Gate-All-Around (GAA) FET. GAAFET implementara nanocables muy finos hasta nonoribones anchos. Esto ofrece el potencial de “empacar más transistores de alto rendimiento en un área determinada, reduciendo así el ancho de las celdas estándar que nuestros diseñadores usan para construir nuevos procesadores”. El apilamiento FinFET, GAAFET o una combinación de ambos, permitirán mejorar la eficiencia de los procesadores.
Se puede escalar el sistema monolítico mediante la implementación de múltiples materiales junto al silicio. Chau habla del germanio y el nitruro de galio como materiales complementarios al silicio. Estos lo que ofrecen son mejores al respecto del rendimiento y una superficie de encapsulado menor.
Intel trabaja en más soluciones
Chau habla sobre como hace una década los SoC agregaron una GPU y funcionalidad E/S en el mismo DIE que una CPU de alto rendimiento. Ahora trabajan en una mayor integración por parte de los diseñadores de procesadores.
Este tipo de desintegración puede parecer, al menos inicialmente, la antítesis de lo que pretende lograr la Ley de Moore.
Pero las mejoras de rendimiento y densidad obtenidas al combinar cada tipo de procesador con su propia lógica de transistor de mejor ajuste e implementación de diseño a menudo superan los aspectos negativos causados por la separación de un troquel monolítico en chips más pequeños
Robert Chau, Director de Investigación de Componentes de Intel
La interconexión EMIB de Intel esta fusionando tecnologías como Foveros para producir Co-EMIB. Intel destaca que “Co-EMIB permite la interconexión de dos o más elementos Foveros con esencialmente el rendimiento de un solo chip.” Los diseñadores podrán conectar chip analógico, memoria y otros DIE con un ancho de banda alto y con poca potencia.
Pero la compañía ya está trabajando en futuras soluciones Co-EMIB mediante un nuevo estándar denominado Interconexión Omni-Direccional (ODI). Hace uso de vías de silicio mucho más anchas para mejorar la entrega de energía, como otras mejoras.
Fuente: Hexus
