Inicia la producción de memorias eMRAM por parte de Samsung, que tienen la misión de reemplazar a las actuales memorias RAM.
El precio de la memoria RAM durante meses ha estado por las nubes, aunque ahora parece que se estabiliza. Pese a que el estándar DDR5 ya ha sido anunciado, parece que podría ser el último estándar. Mientras esto sucede, se van desarrollando otros chips de memoria que sean más eficientes y potentes. Samsung Electronics acaba de anunciar que da inicio a la producción de las memorias eMRAM. Estas nuevas memorias se basan en la litografía de 28nm FD-SOI.
Samsung ya empieza a producir las revolucionarias memorias eMRAM
Sobre las memorias MRAM debemos decir que son un nuevo tipo de memorias RAM magnética no volátil que lleva años en desarrollo. Básicamente se busca que no se borre la información cuando la RAM deja de recibir tensión, como pasa en la actualidad. Esto supondría una gran revolución, en la que Intel también trabaja.
La solución desarrollada por Samsung basada en 28FDS ofrece importantes mejoras de potencia y velocidad, al mismo tiempo que se reducen los costes. Esta eMRAM no necesita de un ciclo de borrado antes de realizar la escritura de nuevos datos. Esto permite que la velocidad de escritura sea unas mil veces más rápida que la eFlash. Adicionalmente estas nuevas memorias hacen uso de voltajes más bajos que las memorias Flash. No requieren de energía cuando están apagadas (sin tensión), algo que aumenta la eficiencia energética.
Adicionalmente estas memorias ofrecen importantes ventajas con las actuales memorias, como latencia de 1ns, velocidades de transferencia superiores y una mayor resistencia. Estas nuevas eMRAM llegan para reemplazar a las actuales memorias RAM y Flash NAND, aunque tardaran en llegar al mercado.
Cabe destacar que los primeros módulos de Samsung tendrán una capacidad bastante limitada. La compañía coreana no ha dado más detalles sobre los módulos que están empezando a fabricar. Parece que inicialmente se trabajara con módulos de 1GB para este 2019. Posteriormente se pasara el proceso de fabricación de la eMRAM a los 18FDS, así como nodos FinFET bastante más avanzados.
Fuente: Anandtech
