Se anuncia por parte de TSMC que ya estan trabajando en el nuevo proceso litográfico de 3nm, aunque no han dado detalles sobre que aportara.
Los grandes fabricantes de chips de la industria han entrado en una batalla litográfica importante. Samsung, TSMC e Intel batallan día a día para ofrecer el mejor proceso litográfico del mercado. Intel, por su exceso de ambición, se ha estancado, tardando tres años más de lo esperado en ofrecer los 10nm. Mientras Samsung y TSMC han ido avanzando. Tanto es así que TSMC ha anunciado que ya está desarrollando el nodo de 3nm.
Actualmente la fundición taiwanesa es la que parece estar más adelantada en la industria. La compañía ya ofrece procesadores y gráficas en 7nm, como bien se refleja con los Ryzen 3000 y las RX Navi de AMD. El fabricante taiwanés ya estaría empezando a cerrar acuerdos con clientes basados en los 3nm.
TSMC ya está desarrollando la nueva litografía de 3nm
“En N3, el progreso del desarrollo tecnológico va bien, y ya estamos comprometiéndonos con los primeros clientes en la definición de tecnología”, ha dicho CC Wei, CEO y co-Presidente de TSMC, en una conferencia telefónica con inversores y analistas financieros. “Esperamos que nuestra tecnología de 3 nanómetros amplíe aún más nuestra posición de liderazgo en el futuro”
De momento en TSMC no hacen referencias a las especificaciones del proceso N3 y las mejoras con respecto al N5. Aún es pronto para eso, porque este nuevo proceso de 3nm está en fase de desarrollo.
Se ha destacado que han revisado todas las posibles estructuras para la litografía de 3nm. Destacan que ha salido “una muy buena solución” para los clientes de la compañía. Actualmente las especificaciones estan en desarrollo y se confía que se cumplan los requisitos de sus clientes.
Tenemos por otro lado a Samsung Foundry, el rival directo de TSMC. La compañía surcoreana utiliza transistores MBCFET Gate-All-Around que se basa en nanosheet para un proceso propio de 3nm (3GAAE).
Pese a que no ay datos, los 3nm de TSMC posiblemente utilizaran la litografía ultravioleta profunda (DUV) y ultravioleta extremo (EUV). El proceso N5 de TSM tiene 14 capas mediante EUV y es probable que el N3 tenga más capas.
Fuente: anandtech
