Samsung ya empieza a fabricar chips de 8GB de memoria DRAM de segunda generación, basado en el proceso de fabricación de 10nm, que mejorara el rendimiento y el consumo.

Llevamos mees con el tema de las memorias NAND Flash a cuestas, con un importante incremento en los precios, que en este caso, nada tienen que ver con la subidas del Bitcoin. Samsung tiene las manos metidas en muchos mercados y sus productos ofrecen una gran calidad y prestaciones,  eso es completamente indiscutible. La compañía entre todos los productos, también fabrica memorias NAND Flash y procesadores para smartphone, empezando la producción de la segunda generación de memorias, entre las que se encuentran chips de RAM DDR4 de 8GB, la mayor cantidad en un solo chip hasta la fecha.

Esta segunda generación de memorias, lo que permite es una mejor integración, sobre todo en la memoria interna de los smartphone y también permitirá una aprovechamiento de la memoria mejorado. Samsung, para poder empezar a fabricar estas nuevas memorias de segunda generación, se ha visto obligada a aplicar y desarrollar nuevas metodologías de trabajo, como bien ha dicho el Presidente de la División del Negocio de Memorias de Samsung, Gyoyoung Jin:

Desarrollando e innovando con la tecnología que introducimos en los circuitos y los procesos de trabajo de las memorias DRAM hemos roto una de las mayores barreras para el crecimiento de la tecnología DRAM. Con el crecimiento de esta segunda generación, tendremos una expansión más agresiva para poder hacer frente a las altas demandas del mercado, y así seguir haciendo fuertes y competitivos nuestros negocios.

La segunda generación de memorias se basa en los 10nm y ofrecerá en torno a un 30% más de producción con respecto a la primera generación. Además, se espera también una mejora en el rendimiento del 10% y una reducción del consumo en un 15% respecto a la mencionada, primera generación. Se espera que estas tengan una velocidad de funcionamiento de los 3.600MB/s, contra los 3.200MB/s, respecto a la primera generación. La compañía también ha destacado, permitirá acelerar diferentes procesos de fabricación de memoria para gráficas y memorias DRAM, como son la DDR5, HBM3, LPDDR5 y GDDR6.

Fuente: Guru3D