Con el lanzamiento del formato de memoria DDR5 para las plataformas de consumo, aún hay muchas dudas de cuándo va a convertirse en un estándart. Su gran problema es que para llegar a las velocidades que superan al formato DDR4, los kits DDR5 que lo hacen suelen ser los más caros, pero el overclocker Rauf muestra cómo los kits de nivel básico de DDR5 pueden ofrecer un rendimiento similar a través del overclocking de sub-timings optimizados.
El overclocker extremo Tobias Bergström, alias Rauf, de Suecia, ha compartido algunas cifras interesantes para aquellos que actualmente se están rascando la cabeza sobre si comprar un kit DDR5-4800 estándar o aquellos fuertemente overclockeados. Los kits de memoria de gama alta son caros y difíciles de conseguir debido a la escasez de PMIC. Esto también afecta a los kits de gama baja que funcionan según las especificaciones JEDEC; sin embargo, estos kits DDR5 que se pueden overclockear pueden encontrarse en casi todos los PC OEM y están algo disponibles en el segmento minorista.
El overclocking permite que una DDR5 se compare con las más avanzadas
Rauf ha explicado en un post detallado en Nordichardware que la memoria DDR5 viene en tres tipos de DRAM. Los circuitos integrados de DRAM proceden de Micron, Samsung y Hynix. Por ahora, Micron es el estándar de la línea base con su DRAM DDR5 y no ofrece muchas capacidades de overclocking, por lo que la mayoría de sus kits están estancados en DDR4-4800 (CL38). Los circuitos integrados de DRAM DDR5 de Samsung son el punto medio y se encuentran en la mayoría de los kits de memoria, y oscilan entre las velocidades de transferencia DDR5-5200-6000.- Por su parte, Hynix ofrece los mejores circuitos integrados de DRAM con velocidades superiores a DDR5-6000.
La DDR5 ofrece mayores velocidades de transferencia, pero el rendimiento no es tan grande en varias aplicaciones debido a la falta de sincronización. Así, la mayoría de los kits de memoria DDR4 y DDR5 ofrecen el mismo rendimiento, pero las plataformas optimizadas como Alder Lake de Intel pueden beneficiarse de ellos debido a la disponibilidad de cuatro canales para DDR5 frente a los dos canales para DDR4.
Sobre los kits baratos de DDR5 frente a los de gama alta, Rauf ha demostrado que simplemente ajustando los subtiempos de los kits Micron se puede obtener un rendimiento a la altura de los kits Samsung y Hynix de gama alta. Rauf comparó la DDR5 de Micron en tres configuraciones diferentes. Una con las características originales, otra con frecuencias más altas y otra con sub-timings ajustados. Los El ajuste de los sub-tiempos produjo un mayor aumento de rendimiento y se ganó hasta un 4% de rendimiento en enteros y un 2% en coma flotante con los sub-tiempos optimizados mientras se mantenía la tasa de transferencia en 4800 Mbps. H
Fuente: Wccftech
