Intel en cinco años (o menos) abandonara FinFET para pasar a la tecnología GAAFET
El CTO de Intel, Mike Mayberry durante la conferencia internacional VLSI, ha dado una charla denominada “El futuro de la computación”. La presentación de Intel ha tratado sobre todo de las nuevas tecnologías de fabricación, hablando de tecnologías posteriores a FinFET. Sobre todo han destacado las estructuras Gate-All-Around e incluso las estructuras de nano-hojas 2D, antes de abandonar CMOS completamente.
GAAFET se ha denominado Nanowire y según Mayberry se debería empezar a producir en masa en unos cinco años. Esta nueva marca temporal de la compañía supone un movimiento diferentes hacía una nueva tecnología de fabricación. Dicha tecnología debería ofrecer mejoras en cuanto a prestaciones importantes y pondrá a Intel de nuevo en la delantera del procesado de fabricación de procesadores.
- Intel Core i5-9400F, Intel Core i5-9xxx, 2,9 GHz, LGA 1151 (Zócalo H4), PC, 14 nm, 8 GT/s
Intel habla sus futuros procesos de fabricación más allá de FinFET
Los transistores finlandeses eran una forma de escalar en un sistema que fuera más allá de un transistor plano. Eran una solución inteligente para aumentar la densidad y la lógica de alto rendimiento. Actualmente Intel usa el diseño FinFET, aumentando el tamaño de las aletas en cada generación de procesadores.
Como paso con los transistores planos, este diseño tiene unas ciertas limitaciones entre el límite natural y los límites de fabricación. Cuando se llega a cierto punto se debe buscar un nuevo sistema de fabricación de transistores. Los diseños GAA que se han investigado por parte de Intel y que se han desarrollado durante una década ya estarían listos para ser utilizados.
El sistema GAA se basa en una aleta de transistor flotante que puede ser pequeña (Nanowire) o ancha (Nanosheet). Dicho sistema permite el apilado de varios Nanowire o Nanosheet aumentado el ancho efectivo del transistor. Actualmente las fundiciones usan FinFET, desarrollando el nodo de 3nm en esta tecnología, siendo similar al nodo de 5nm de Intel.
Los transistores GAA tienen la capacidad de adaptarse a las necesidades operativas. El diseño FinFET típico permite una altura de 6-7 aletas discretas, teniendo una corriente de funcionamiento en el recuento de aletas. Diseño GAA, por otra parte, se basa en el apilamiento, también influye el ancho de la hoja. La corriente de accionamiento pasa a ser un aspecto continuo, permitiendo el ahorro de espacio y energía a nivel de silicio.
FinFET solo tiene un diseño de potencia/frecuencia dentro de un diseño de nodo de proceso para un recuento de aletas determinado. GAA permite una escala continua en el diseño de los transistores.
Fuente: Anandtech
