Kioxia está desarrollando las nuevas memorias Twin BiCS Flash
Las unidades SSD han evolucionado mucho en los últimos años, llegando a una gran relación entre capacidad y precio. Pero esto solo es posible gracias a la inversión y el desarrollo de nuevas tecnologías. Kioxia (anteriormente Toshiba Memory) ha desarrollado un reemplazo de las memorias NAND Flash 3D. Esta nueva solución nos ofrecerá una mayor densidad de almacenamiento comparadas con las unidades NAND Flash de QLC.
El aumento de las capacidades de los SSD y la rebaja de precios permitirá que las consolas de Microsoft y Sony los implementen en sus próximas consolas. Algo que desplaza las unidades de disco duro mecánicos, que pese a ser más económicas y de mayor capacidad, generan muchos problemas. Sobre todo en velocidades de transferencia.
- Capacidad de 480 GB, durabilidad de 120 TB
- Velocidad de lectura/escritura secuencial de hasta 555/540 MB/s
- Memoria TLC 3D BiCS de 64-layers
- Hasta 82.000/88.000 IOPS de lectura/escritura aleatoria
- Serial ATA (SATA): ATA / ATAPI Command Set-3 (ACS-3) y especificaciones de interfaz Serial ATA revisión 3.2 compatibles
Kioxia anuncia una nueva tecnología de memorias
Sobre la nueva tecnología desarrollada por Kioxia, sabemos que permite a los chips tener celdas más pequeñas y aumentar la capacidad de estas. Lo que permitirá es aumentar de manera importante la densidad de memoria por celda. Mediante este aumento, se podrá aumentar la capacidad final de las unidades y posiblemente reducir aún más los precios.
Dicha tecnología se denomina “estructura celular de memoria flash de puerta dividida semicircular tridimensional” (“three-dimensional semicircular split-gate flash memory cell structure”). La nueva unidad resumidamente se denominará Twin BiCS Flash, ofreciendo una diferencia con respecto a las BiCS5 Flash.
BiCS5 Flash se basa den celdas trampa de carga circular, mientras que TwinBiCS Flash se basa en células de compuertas flotantes semicirculares. Esta nueva estructura ofrece un nuevo sistema de programación de celdas. Unas células más compactas físicamente en referencia a la tecnología TC.
Twin BiCS sería la mejor opción para tener éxito con las memorias NAND QLC, pero se desconoce cómo se implementarán en el futuro. Los nuevos chips ofrecerán un aumento en el almacenamiento de memoria Flash de manera significativa. Una solución para corregir un problema al cual están atacando diferentes fabricantes, generando tres vertientes diferentes.
Aumento de la capacidad de los SSD futuros
Una de las posibilidades actuales es el aumentar el número de capas. Algunos fabricantes ya trabajan en unidades NAND Flash de 96 capas, mientras que otros ya van por las 128 capas. Otra opción para aumentar la capacidad de las memorias NAND pasa por la reducción del tamaño de las células, permitiendo añadir más por capa.
Finalmente hay fabricantes que apuestan por aumentar la densidad de la memoria con mejora de los bits totales por celda, la más usada por los fabricantes. Esta metodología es la utilizada para desarrollar las memorias SLC, MLC, TLC y QLC más modernas. Aumentar la capacidad por celda tiene sus contrapartes, como es lógico.
Twin BiCS aún está en fase de desarrollo e investigación y está a años de poder ser implementada. Kioxia tiene previsto, de momento, lanzar chips BiCS NAND Flash estarán disponibles en 2020 para los fabricantes. SK Hynix y Samsung ya ofrecen memorias de 100 capas mediante los chips 128 capas 4D y V-NAND v6
Fuente: wccftech