Micron inicia la producción de memorias DDR4 y LPDDR4X basadas en la litografía 1z nm
Se anuncia por parte de Micron el inicio de la producción de memorias DDR4 y LPDDR4X basadas en el nuevo proceso litográfico 1z nm.
El precio de la memoria RAM por suerte se ha ido estabilizando en los últimos meses hasta volver a estar asequible. Se debe a la caída en la venta de smartphone y la caída de montaje de servidores y Data Centers. Mientras tanto Micron acaba de anunciar la producción de nuevos chips DDR4 y LPDDR4X. Estos nuevos chips se basan en la litografía 1z nm.
La litografía 1z nm se sitúa entre la litografía de 12nm y 14nm. Según Micron estos nuevos chips de memoria ofrecerán un aumento de producción y una reducción de consumo. Sobre todo esto beneficiara a los usuarios de smartphone, que ganaran en autonomía.
Micron anuncia la producción de memorias DDR4 basadas en la litografía 1z nm
Habitualmente todos los fabricantes de memorias suelen dar muy pocos detalles sobre los procesos de fabricación. Estos fabricantes suelen usar litografía que ya tienen tiempo en el mercado. Se utilizan porque el proceso esta optimizado y pulido y su producción es lo suficientemente grande. Los fallos en la producción podrían generar problemas en la carga de datos de celtas o en el guardado. Así que el nivel de tolerancia de errores debe ser cercano a cero.
Estos nuevos chips de DRAM tienen un tamaño de 2GB y tienen un consumo un 40% menor que dos chips de 1GB de segunda generación 1y nm (de 14nm a 16nm). Respecto a las memorias LPDDR4X, cada chip es de 2GB bajo el proceso 1z nm y consume un 10% menos que los chips DDR4. Se desconocen de momento las frecuencias de estas memorias.
Mediante estos nuevos chips se podrán alcanzar los 16GB de memoria DRAM en terminales de alta gama. Además la compañía ofrecerá encapsulados DRAM combinados con NAND que tienen un formato uMCP4 con 3GB de RAM y 64GB de almacenamiento o bien 8GB de RAM y 256GB de almacenamiento.
Fuente: Anandtech
