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Samsung ya produce los primeros chips experimentales en 3nm GAAFET

La evolución de las litografías para los procesadores está evolucionando a una velocidad alucinante. TSMC este año empezará a fabricar los primeros chips en 5nm, concretamente los SoC de Apple para los iPhone. El medio surcoreano Maeil Economy asegura que Samsung ya habría producido los primeros chips de 3nm GAAFET. Como es lógico este proceso litográfico aún está verde y falta bastante para que sea un proceso funcional.

El proceso litográfico de 3nm GAAFET (Gate All Around) permite reducir el tamaño del silicio en un 35 por ciento respecto a los 5nm FinFET. Otras de las mejoras es la reducción de consumo en un 50 por ciento. Se espera también un aumento del rendimiento del 33 por ciento, aproximadamente.

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Samsung ya produce chips en 3nm GAAFET de manera experimental

Actualmente Samsung ha perdido su posición predominante en el mercado de semiconductores de Asia, superada por TSMC. Esto es debido, sobre todo, a que TSMC produce una gran cantidad de chips para AMD, Apple, HiSilicon (Huawei), Qualcomm, NVIDIA y otros.  Bien es cierto que Samsung además de procesadores, también fabrica memorias y otros componentes.

La compañía quiere dar el salto a los 3nm GAAFET para el próximo año, un plan extremadamente ambicioso. Samsung no tiene proceso litográfico de 5nm, pese a haber realizado una fuerte inversión.  Bien es cierto que desde la compañía parece que no tienen preocupación en recuperar la inversión en dicha litografía. La compañía hace poco dijo que se querían convertir en el mayor fabricante de semiconductores en 2030.

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GAAFET se diferencia de FinFET en que tiene una construcción de cuatro puertas, una a cada lado del canal. El FinFET se basa en un diseño de 3 puertas. El nuevo diseño GAAFET garantiza la reducción de fugas de energía y mejora el control sobre el canal. Algo muy importante a tener en cuenta cuando se reducen los procesos litográficos.

Cuanto más se reduce el tamaño de la litografía, mayor es el riesgo de salto de electrones. Al existir cada vez menos espacio entre las puertas de los transistores, haciendo más probable la electromigración entre puertas. Pero los rediseños y la inclusión de otros materiales ayudan a eliminar o como mínimo, reducir este problema. 

Fuente: TH

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Roberto Solé

Director de Contenidos y Redacción de esta misma web, técnico en sistemas de generación de energía renovables y técnico electricista de baja tensión. Trabajo delante de un PC, en mi tiempo libre estoy delante de un PC y cuando salgo de casa estoy pegado a la pantalla de mi smartphone. Cada mañana cuando me levanto cruzo el Stargate para hacerme un café y empezar a ver vídeos de YouTube. Una vez vi un dragón... ¿o era un Dragonite?

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