Samsung ha presentado hace unas pocas horas el primer chip DRAM DDR5 de 32 Gb del mundo. Este nuevo chip de memoria se fabrica en el proceso DRAM de 12 nm y ofrece una mayor densidad, con un consumo reducido de energía. Este chip permitirá a Samsung fabricar módulos RDIMM récord de 1 TB para servidores y reducir los costes de los módulos de memoria de alta capacidad.
Los chips de memoria de 32 Gb permitirán a Samsung construir un módulo normal de 32 GB de un solo rango para PC cliente utilizando solo ocho chips de memoria de un solo chip. También permiten crear módulos DIMM de mayor capacidad que antes no eran posibles. Se esperan unos módulos de memoria de 1 TB que utilizan 40 pilas de memoria 8-Hi 3DS basadas en ocho dispositivos de memoria de 32 Gb.
Samsung podrá ofrecer módulos de 1 GB para servidores
Hay que entender que se esperan que se usen para sdervidores, que recientemente ven sus cargas de trabajo elevadas gracias a la Inteligencia Artificial , Big Data y bases de datos. Se espera que los RDIMM de 1 TB permitirían tener hasta 12 TB de memoria en un servidor de un solo socket.
En cuanto al consumo de energía, se espera que consuman un 10% menos de energía que los módulos de la generación actual fabricados con matrices de 16 Gb. Este descenso del consumo puede atribuirse tanto al nodo de producción de DRAM de 12 nm como al hecho de evitar el uso de chips apilados en 3D que empaquetan dos troqueles de 16 Gb en un solo paquete.
Samsung no ha revelado las velocidades de sus chips de memoria de 32 Gb. Tienen la intención de iniciar la producción en masa de chips de memoria de 32 Gb a finales de 2023. Aunque muy seguramente, tardemos mucho tiempo en ver estos módulos, si se espera que tengan precios más altos, y que compense usar módulos normales.
Fuente: Anandtech
