Samsung asegura que su nueva unidad de almacenamiento Samsung SZ985 SSD Z-NAND mejora el rendimiento y las latencias con respecto a las unidades tradicionales y compite directamente con Intel Optane y las memorias 3D XPoint.

Actualmente en el mercado del almacenamiento encontramos un problema y es la latencia de las memorias, que supone un verdadero quebradero de cabeza. El aumento de las velocidades de transferencia de datos gracias a las memorias NAND Flash es una evolución importante con respecto a los discos duros mecánicos, pero estas memorias tienen un importante problema y es que tienen mucha latencia, lo que provoca cuellos de botella importantes. Samsung parece ser que ha solventado este problema en las unidades Samsung SZ985 SSD Z-NAND.

La única solución conocida que lograba romper este problema son las memorias 3D XPoint de Intel, que se integran en las memorias Optane. El problema de Intel es que tiene problemas en la producción de estas memorias y solo las está destinando al segmento profesional y las unidades Optane comerciales, solo se pueden usar como caché, lo cual es una tontería, ya que es innecesario acelerar un SSD, ya que ofrece un buen rendimiento por sí mismo y poner Optane con un HDD no tiene sentido. Samsung, con sus nuevas memorias Z-NAND, pretende solucionar estos problemas y acercar las unidades de gran rendimiento al mercado generalista.

Estas nuevas unidades Z-NAND tienen la característica de ser bastante similares en rendimiento a las 3D XPoint de Optane, pero además, son mucho más económicas de fabricar que las NAND Flash actuales, lo cual permite una reducción notoria en el precio. La unidad SZ985 SSD Z-NAND es capaz de ofrecer una velocidad de lectura y de escritura de 3.2GB/s, además, en lectura aleatoria esta ofrece 750.000IOPS, mientras que en escritura aleatoria ofrece 170.000IOPS. Supone un rendimiento sin precedentes para unidades basadas en memorias NAND.

Se ha mejorado también de manera significativa, el reducir la latencia, consiguiéndolo no solo con estas nuevas memorias Z-NAND, sino también introduciendo cambios en el diseño del controlador de la memoria. Según Samsung, han conseguido reducir la latencia en 5.5 veces con respecto a las unidades SSD NVMe, permitiendo una carga de datos más rápida y eficiente. No se sabe nada más acerca de estas unidades, es posible que en el CES 2018 se den más datos al respecto.

Fuente: OC3D