Samsung: Tecnología de comunicación de capas permite aumentar la capacidad de los chips DRAM
Desarrollada una nueva tecnología de comunicación de capas en memorias DRAM por parte de Samsung que permite aumentar la capacidad del chip.
El precio de la memoria RAM y los SSD han bajado mucho de precio y ahora están a precios asequibles. No solo es debido a una estabilización de la producción, también está el aumento de capas y el número de bits por celda. El apilamiento de las capas permite desarrollar chips más compactos. Samsung ha avanzado en la tecnología de empaquetamiento de chips de memoria.
La comunicación entre las diferentes capas de memoria apiladas también es un elemento importante. Estas vías a través del silicio (TSV) permiten unir las diferentes capas con la PCB. Hasta la fecha se hacía mediante un sistema de interconexión con hilos. Lo que ha conseguido Samsung es mejorar la interconexión de las capas para obtener una comunicación simplificada.
Samsung consigue mejorar las vías de conexión de las memorias
Algo que la compañía surcoreana lleva tiempo desarrollando es la tecnología de encapsulado de chips de memoria. Han conseguido que cada una de las capas se pueda conectar directamente con la PCB mediante vías a través del silicio.
Gracias a esta nueva tecnología, se pueden conectar doce chips (capas) de DRAM agujereadas más de 60 000 veces en el mismo grosor de encapsulado de 720µm. Hasta ahora esto solo era posible en estructuras de ocho capas. Samsung ha conseguido llevarlo a un sistema de 12 capas, lo cual es un gran avance.
La gran mejora es que la comunicación entre las capas es más corta y por lo tanto se mejora la latencia de la comunicación. Adicionalmente se consiguen chips DRAM más compactos. Mediante este avance, Samsung podrá desarrollar chips DRAM de 24GB, en vez de los 8GB actuales.
Todos estos avances técnicos al final lo que nos ofrecen son más capacidad en mucho menos espacio. Además estas técnicas lo que permiten es un ahorro de costes notable y que los precios bajen.
