Ni muerta ni enferma, la ley de Moore está aún muy sana y le quedan muchos años por delante según Philip Wong, investigador de TSMC.

Los procesadores se basan en decenas de millones de transistores diminutos a una escala de nanómetros. Gordon E Moore, cofundador de Intel, postulo en 1965 que la cantidad de transistores en un microprocesador se duplicaría cada año. Posteriormente, en 1975 ajustó su teoría destacando que se duplicaría cada dos años. Hasta la fecha se cumple, es más, el Dr. Philip Wong, Vicepresidente de Investigación Corporativa de TSMC asegura que esta ley está viva y sana.

Muchos en los últimos años han postulado que esta ley estaba muerta o estaba cerca de llegar a su fin. Existe el problema del silicio, que tiene una barrera física de 1nm por transistor y no hay material, de momento, que lo reemplace. Bien es cierto que se están introduciendo materiales que dopan el silicio y permiten disminuir el tamaño.

Dr. Philip Wong Vicepresidente de Investigaci%C3%B3n Corporativa de TSMC - TSMC: Investigador de la fundición taiwanesa asegura que a la ley de Moore no le pasa nada

TSMC no cree que la ley de Moore esté muerta o tenga problemas

Wong se desmarca de otras voces de la industria de los semiconductores y asegura que seguiremos viendo el aumento en la cantidad de transistores. Según Wong: “Entonces, me gustaría aclarar sin duda alguna que la ley de Moore está sana y salva, ¿correcto? No está muerta, no se está ralentizando, ni siquiera está enferma, está bien y viva”

Alguno puede pensar en el retraso de los 10nm de Intel como un indicio de problema, pero nada más lejos de la realidad. Bob Swan, actual CEO de la compañía ya destacado que el problema de sus 10nm, es que habían sido excesivamente ambiciosos. Intel ha conseguido 2.7 veces más densidad en este nuevo tamaño de nodo de transistor.

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Volviendo a TSMC, la compañía taiwanesa ya tiene listo su proceso de 5nm. Actualmente se encuentran en pleno proceso de desarrollo de los 3nm y los 2nm. Esto evidencia que, de momento, nada le pasa a la ley de Moore. Aquí el problema no está en la teoría de Moore, el problema reside en el límite físico del silicio.

Fuente: PCGN

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