La empresa detrás de la memoria flash X-NAND afirma haber duplicado la velocidad de su almacenamiento en su segunda generación de chips. Según informa el portal Blocks and Files, es posible al permitir la escritura de datos en paralelo.
De este modo, la memoria en X-NAND puede ofrecer niveles de rendimiento de nivel SLC a partir de la memoria flash QLC. Esto es algo positivo porque que es más barata y se presenta en mayores capacidades.
El futuro puede pasar por memoria X-NAND
La arquitectura X-NAND de Neo Semiconductor puede aplicarse a todas las generaciones de memoria flash. Consiste en dividir cada plano de la matriz 3D en cuatro a 16 subplanos, a cada uno de los cuales se puede acceder en paralelo, utilizando búferes de página para optimizar la velocidad. La X-NAND de segunda generación toma esta idea y la comprime, utilizando un plano para escribir en otro, mientras que antes habría utilizado tres planos para escribir en un cuarto.
Dicho de forma sencilla, acelera las cosas, y un chip X-NAND 3D de segunda generación puede escribirse a 3.200 MBps en lugar de los 1.600 MBps de la generación anterior. Todo el conjunto funciona 20 veces más rápido que la flash NAND convencional. También hay mejoras en la latencia, pero por ahora no se han dado detalles al respecto.
La tecnología Gen 2 ha sido galardonada con el premio Best in Show en la Cumbre de la Memoria Flash de este año, celebrada en Santa Clara del 2 al 4 de agosto. Según Neo, la nueva tecnología es compatible con las técnicas de fabricación actuales sin por ello aumentar el coste de fabricación ni el tamaño de la matriz.
Este premio reconoce nuestros esfuerzos por introducir en el mercado de las NAND una tecnología verdaderamente innovadora con una amplia gama de capacidades que abordan los crecientes cuellos de botella en el rendimiento de los sistemas informáticos y los productos de consumo. La X-NAND Gen-2, que duplica el rendimiento de la X-NAND Gen1, permite al cliente conseguir un rendimiento similar al de la SLC con una memoria QLC de mayor capacidad y menor coste. X-NAND Gen2 incorpora cambios arquitectónicos y de diseño de impacto cero que no aumentan los costes de fabricación, al tiempo que ofrecen extraordinarias mejoras de rendimiento y latencia.
Andy Hsu, fundador y director general de Neo Semiconductor
Fuente: TechRadar
